长江存储在美国法院申述美光侵略多项专利 要求美光中止出售内存并付出专利费

半导体制造商长江存储 (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. , YMTC) 日前现已在美国加利福利亚州北区法院对美光科技提起专利诉讼，长江存储指控美光科技在未取得授权的情况下运用长江存储持有的 11 项专利技能，这些专利技能触及 3D NAND 闪存芯片的各个方面。

根据美光科技侵略专利以及出售侵略知识产权的内存产品，长江存储要求法院命令美光科技在美国商场中止出售内存产品并向长江存储付出专利运用费。

在法庭文件中长江存储称美光科技的 96 层 (B27A)、128 层 (B37R)、176 层 (B47R) 和 232 层 (B58R) 系列 3D NAND 闪存芯片以及美光科技的部分 DDR5 SDRAM 内存 (Y2BM 系列) 侵略了 11 项专利或正在请求中的专利。

长江存储在法庭文件中引证的 8 项专利包含：

• US10950623：3D NAND 存储器设备及其构成办法
• US11501822：非易失性存储设备及其操控办法 **(已提交请求但没有取得同意)
• US10658378：用于三维存储设备的直通阵列触摸 (TAC)
• US10937806：用于三维存储设备的直通阵列触摸 (TAC)
• US10861872：三维存储器材及其构成办法
• US11468957：NAND 存储器操作架构和办法 **(已提交请求但没有取得同意)
• US11600342：三维存储器材的读取时刻 **(已提交请求但没有取得同意)
• US10868031：多仓库三维存储器材及其制作办法

美国商务部现已在 2022 年将长江存储添加到出口控制名单中，制止美国科技公司或运用美国技能的外国公司向长江存储供给任何包含美国技能的软件、硬件或其他服务，这阻止了长江存储开展存储芯片的进展。

不过终究长江存储仍是突破了约束成功研制高阶 3D NAND 芯片，包含现已量产的晶栈 3.0 (Xtacking 3.0) 以及正在开发中的晶栈 4.0 (Xtacking 4.0) 3D NAND 闪存芯片。

此外长江存储此前还泄漏现已成功将 3D QLC NAND 芯片的耐用性大幅度进步到 3D TLC NAND 的水平，即到达 4000 次编程 / 擦除周期，这明显改进了 QLC 阻隔的运用寿命、将有助于进步 QLC 固态硬盘的大规模投入商场。